Bateria de telefone de uma semana provocada pela IBM e Samsung - Mundotech
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Bateria de telefone de uma semana provocada pela IBM e Samsung

Bateria de telefone de uma semana provocada pela IBM e Samsung

A maioria das pessoas precisa carregar seus smartphones a cada um ou dois dias, mas um novo avanço científico feito por pesquisadores da IBM e da Samsung pode mudar isso. As duas empresas formaram uma parceria em um design inovador de semicondutor que chamam de Transistor de Efeito de Campo de Nanosheet de Transporte Vertical (VTFET), uma nova arquitetura de chip que pode, quando comparada com a tecnologia finFET mais convencional, reduzir o consumo de energia em até 85 por cento ou o dobro atuação.

Os pesquisadores da IBM explicam que a maioria dos chips modernos é baseada na arquitetura de transistores de efeito de campo de transporte lateral (FETs), um exemplo disso é o transistor de efeito de campo fin (finFET). Esse último projeto envolve a colocação de transistores na superfície de um wafer, enquanto o novo design inovador VTFET funciona organizando os transistores em camadas perpendiculares ao wafer.

Isso, explica a empresa, resulta em um fluxo de corrente vertical que contorna algumas limitações existentes, pelo menos quando se trata de coisas como tamanho do contato e comprimento da porta do transistor. A otimização, então, é possível reduzindo a quantidade de energia usada ou aumentando o nível de desempenho.

Este é um avanço significativo que, diz a IBM, mostra potencial para “escalar além da nanofolha”. Isso pode levar a uma série de benefícios para o consumidor, com as duas empresas explicando que essa inovação tecnológica pode levar a baterias de smartphones que funcionam por uma semana inteira antes de precisarem ser recarregadas. Além disso, a tecnologia também pode reduzir a quantidade de energia usada para minerar criptografia, potencialmente ajudando a resolver as principais preocupações com as mudanças climáticas associadas à moeda digital baseada em blockchain.

A indústria da Internet das Coisas (IoT) também pode ser revolucionada por esse avanço, com os pesquisadores observando que a redução da demanda de energia pode permitir que dispositivos inteligentes, como sensores conectados, operem “em ambientes mais diversos”.

Ambas as empresas enfatizam que o projeto atual para cima e para baixo pode estender o que é conhecido como lei de Moore, referindo-se à observação de Gordon Moore décadas atrás de que o número de transistores de um circuito integrado dobrará a cada dois anos. A ideia, explica a IBM, se aproximou de seu limite, pois os chips apresentam limites de tamanho físico nos quais os fabricantes estão tentando “embalar mais transistores”.

A IBM tem trabalhado arduamente para atender a essas necessidades crescentes de energia e desempenho. É importante ressaltar que a empresa apresentou sua inovação tecnológica de 2 nm em maio, que possibilitou colocar 50 bilhões de transistores em um chip do tamanho aproximado de uma unha.

Essa descoberta por si só apresenta algumas mudanças potencialmente importantes, incluindo a extensão do tempo de execução da bateria do telefone para cerca de quatro dias, melhorando o desempenho do laptop e reduzindo as pegadas de carbono do data center, diminuindo o uso de energia. A nova inovação conjunta de design VTFET da IBM e da Samsung baseia-se neste trabalho, com a IBM observando que o arranjo vertical “concentra-se em uma dimensão totalmente nova”.

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