Intel detalha roteiro ambicioso com grandes planos para os próximos anos
A Intel detalhou o que diz ser um de seus roteiros mais detalhados para seu processo e tecnologia de empacotamento já publicado – um que prepara o terreno para sua ambiciosa meta de “liderança de desempenho de processo” nos próximos anos. Entre outras coisas, a empresa está lançando uma nova estrutura de nomes para seus nós de processo, a fim de apresentar “uma estrutura clara e consistente” para os clientes.
“A indústria há muito reconheceu que a nomenclatura de nó de processo baseada em nanômetro tradicional parou de corresponder à métrica de comprimento de porta real em 1997”, explicou a Intel como parte de seu evento Intel Accelerated. Por esse motivo, diz a empresa, usará uma nova estrutura de nomenclatura para seus nós de processo no futuro, uma que, entre outras coisas, oferece aos “clientes uma visão mais precisa dos nós de processo em toda a indústria”.
Sob essa nova estrutura de nomenclatura, a Intel chamará seus chips SuperFin 10nm de “Intel 7”, cujos primeiros produtos começarão a chegar às prateleiras nos próximos meses. O nome Intel 4 será usado para o processo de 7nm da Intel, entretanto, e o nome Intel 3 será usado para os produtos de 7nm de segunda geração da empresa.
Juntando-se a eles, estará o “Intel 20A”, que, segundo a Intel, será lançado com as tecnologias RibbonFET e PowerVia. O RibbonFET será a primeira nova arquitetura de transistor da Intel desde o FinFET de 2011, enquanto o PowerVia se refere ao fornecimento de energia na parte traseira da empresa que elimina o roteamento de energia da parte frontal do wafer.
Como parte de seu roteiro, a Intel revelou que sua futura oferta Intel 18A já está sendo desenvolvida com planos para um lançamento no início de 2025, que trará refinamentos do RibbonFET para “outro grande salto no desempenho do transistor”. Em um comunicado , a Dra. Ann Kelleher disse:
A Intel tem uma longa história de inovações de processos fundamentais que impulsionaram a indústria aos trancos e barrancos. Lideramos a transição para o silício deformado a 90 nm, para portas de metal high-k a 45 nm e para FinFET a 22 nm. Intel 20A será outro momento divisor de águas em tecnologia de processo com duas inovações revolucionárias: RibbonFET e PowerVia.